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芯片IC可靠性测试、静电测试、失效分析,专业芯片检测机构

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    芯片IC可靠性测试、静电测试、失效分析



芯片可靠性验证 ( RA)

芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ;

高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ;

温度循环试验(TC), JESD22-A104 ;

温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ;

高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110;

高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108;



芯片静电测试 ( ESD):

人体放电模式测试(HBM), JS001 ;

元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ;

闩锁测试(LU), JESD78 ;



芯片IC失效分析 ( FA):

光学检查(VI/OM) ;

扫描电镜检查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs);

OBIRCH ;

Micro-probe;

聚焦离子束微观分析(FIB)

弹坑试验(cratering)

芯片开封(decap)

芯片去层(delayer)

晶格缺陷试验(化学法)

PN结染色 / 码染色试验

推拉力测试(WBP/WBS)

红墨水试验

PCBA切片分析(X-section)



芯片材料分析

高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF);

SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)

Raman (Raman光谱)

AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)



芯片分析服务:

ESD / EOS实验设计;

集成电路竞品分析;

AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务;

未知污染物分析 (污染物分析方案制定与实施,帮助客户全面了解污染物的理化特性,包括:化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析



材料理化特性全方位分析(有机高分子材料、小分子材料、无

机非金属材料的成分分析、分子结构分析等);

镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施,包括

厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析);



GRGT团队技术能力

•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控

•集成电路竞品分析、工艺分析

•芯片级失效分析方案turnkey

•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计

•静电防护失效整改技术建议

•集成电路可靠性验证

•材料分析技术支持与方案制定

半导体材料分析手法



芯片测试地点:广电计量-上海浦东试验室



广电计量失效分析实验室AEC-Q技术团队,执行过大量的AEC-Q测试案例

 
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